Déposition de couche mince a-Si:H par procédé PECVD: Simulation par la méthode de Monte Carlo, Calcul analytique des probabilités de la réactivité PDF, EPUB

Une intensité d’environ 1010 positons lents par seconde est attendue dans le faisceau de positons primaires.


ISBN: 3841741762.

Nom des pages: 142.

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Cet ouvrage est une étude sur la déposition de couche mince a-Si:H élaborée à partir d’un mélange (SiH4 + H2) par les procédés CVD assistés par plasma. Pour la simulation numérique, nous avons utilisé la méthode de Monte Carlo. Le modèle cinétique collisionnel choisi a permis d’étudier les phénomènes physico-chimiques et les propriétés collisionnelles dans le volume du réacteur et à la surface du substrat. Pour calculer les probabilités de la réactivité des radicaux SiHx avec la surface (SFRP), nous avons introduit un nouveau concept : la probabilité de réactivité sur un site (SRP). Cette nouvelle probabilité calculée, permet de calculer analytiquement les probabilités de collage, de recombinaison et de réactivité à la surface. A nos connaissances, c’est le premier modèle analytique qui calcul ces probabilités. Pour des températures du gaz variant de 373 K à 750 K, la valeur moyenne de la SFRP de SiH3 calculée est 0,30 ± 0,08. Cette valeur est la même que celle mesurée dans des travaux de Kessels et Hoefnagels. Nous avons présenté aussi un traitement de l’aspect fluide en résolvant l’équation de diffusion.

Hugenschmidt, G. Kogel, R. Repper, K. Schreckenbach, P. Sperr et W. Triftshauser; Radiation Physics and Chemistry 68 (3-4) (2003) 669-671. Ceux-ci sont à travers le remodulateur à réflexion de la lentille et la colonne optique avec une lentille à espace latéral magnétique comme lentille formant la sonde. Cela ouvrira la voie à la commutation optique ultra-rapide, à l’absorption ultra-forte de la lumière, aux PV et à la détection de biomolécules uniques.

En utilisant le tube à faisceau traversant d’un réacteur à haut flux, un taux d’hydrogène libre de fond d’env. 3s-1 peut être obtenu. La taille des grains de films Al2O3 cristallins était de l’ordre de l’épaisseur du film. L’induction de DSB a été réalisée par irradiation avec des particules ß et une irradiation à petit angle au niveau de la microsonde à ions SNAKE avec des ions lithium et carbone. Des circuits plus simples signifient moins de consommation d’énergie et une plus petite surface de puce.