Elaboration des Nitrures de Gallium avec traitement Si/N: Application aux Diodes Electroluminescentes PDF, EPUB

Il y a aussi une troisième approche rapportée dans la littérature pour résoudre les PID au niveau du verre dans la littérature.


ISBN: 6131597278.

Nom des pages: 268.

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Le traitement Si/N, lors de l’élaboration du GaN à haute température et à pression atmosphérique par Epitaxie en Phase Vapeur par pyrolyse d’OrganoMétalliques (EPVOM), améliore nettement la qualité morphologique, électrique, structurale et optique. Le mode de croissance observé est un passage de 3D à 2D au cours de l’épaississement de la couche de GaN. Par la suite un dopage de type p et n dans GaN est réalisé en utilisant respectivement le magnésium et le silicium, conduisant ainsi à une homojonction p/n pour fabriquer une diode électroluminescente bleue. Pour augmenter son rendement optique, une intercalation de puits quantiques InGaN est effectuée.

La nature a évolué pour faire face aux mêmes flux d’énergie, de sorte que le biomimétisme est parfois un guide utile. Les couleurs sont commutées en interne en faisant varier la tension d’alimentation. En outre, les disques durs de petite taille sont utilisés dans les lecteurs de musique portables numériques, etc.

Un piégeage suffisant de Cu dans des échantillons contaminés avec une faible concentration de Cu nécessite une densité plus élevée et des précipités d’oxygène plus importants par rapport aux échantillons contaminés avec une concentration élevée en Cu. En outre, ils sont importants pour les enquêtes sur les causes profondes de PID. Kurt Lehovec était l’un des pionniers du circuit intégré. Les sources incandescentes et fluorescentes nécessitent souvent un réflecteur externe pour collecter la lumière et la diriger d’une manière utilisable.